63-7670-13 ［已停用］FDA18N50N通道MOSFET, 19 A, 500 V UniFET, 3针TO-3P安森美半导体 FDA18N50
功能
- UniFETTM N通道MOSFET,飞兆半导体。UniFETTM MOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列。它具有平面MOSFET中最小的导通电阻，并且具有优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部门源ESD二极管允许UniFET-IITMMOSFET承受超过2000VHBM的浪涌应力。UniFETTMMOSFET适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC) 、平板显示 (FPD) 电视电源、ATX (先进技术eXtended) 和电子灯镇流器。
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:19 A
- 最大漏源电压:500 V
- 最大泄漏源电阻:265 mΩ
- 最小门限电压:3V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包类型:TO-3P
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:239 W
- 典型的关机延迟时间:95 ns
- 代码号:671-4777
| 第号命令。 | 63-7670-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDA18N50 | |
| 标准价格 |
JPY: 340
USD: 2.12
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1piece | |
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| 日本股票 | - | |