63-7669-69 FDN5618P-ChannelMOSFET, 1.25 A, 60 V PowerTrench,3针SOT-23安森美半导体 FDN5618P
功能
- PowerTrench®P-ChannelMOSFET,飞兆半导体。PowerTrench®MOSFET是优化的功率开关，可提高系统效率和功率密度。它们将小栅极电荷 (Qg) 、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合，有助于快速切换交直流电源中的同步整流。最新的PowerTrench®MOSFET采用屏蔽栅极结构，提供电荷平衡。利用这种先进技术，这些器件的FOM (功率图) 明显低于前几代器件。PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除短路或更换更高电压等级的MOSFET。
规格
- 数量:1套 (3000个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:1.25 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:170 mΩ
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-23
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:500 mW
- 典型输入电容@Vds:430 pF@30 V
- 代码号:166-1716
| 第号命令。 | 63-7669-69 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDN5618P | |
| 标准价格 |
JPY: 91,200
USD: 572.07
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(3000pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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