63-4936-21 ［已停用］FQB30N06LTMN沟道MOSFET, 32 A, 60 V QFET, 3针D2PAK安森美半导体 FQB30N06LTM
功能
- QFET®N沟道MOSFET,超过31A,飞兆半导体。飞兆半导体的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，可为各种应用提供一流的操作性能，包括电源、PFC (功率因数校正) 、DC-DC转换器、等离子显示面板 (PDP) 、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS (on) ) 降低导通状态损耗，并通过降低栅电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 降低开关损耗。通过采用先进的QFET®工艺技术，飞兆半导体可以提供比竞争平面MOSFET器件更好的性能指标 (FOM) 。
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:32 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:35 mΩ
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:D2PAK (TO-263)
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:3.75 W
- 典型的关机延迟时间:60 ns
- 代码号:671-0882
| 第号命令。 | 63-4936-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FQB30N06LTM | |
| 标准价格 |
JPY: 810
USD: 5.04
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(5pieces) | |
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| 日本股票 | - | |