63-4936-13 FDS8858CZ双N/P通道MOSFET, 7.3 A, 8.6 A, 30 V PowerTrench,8针SOIC安森美半导体 FDS8858CZ
功能
- PowerTrench®双N/P通道MOSFET,飞兆半导体。PowerTrench®MOSFET是优化的功率开关，可提高系统效率和功率密度。它们将小栅极电荷 (Qg) 、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合，有助于快速切换交直流电源中的同步整流。最新的PowerTrench®MOSFET采用屏蔽栅极结构，提供电荷平衡。利用这种先进技术，这些器件的FOM (功率图) 明显低于上一代器件。PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除怠速电路或更换更高电压等级的MOSFET。
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 频道类型:N, P
- 最大持续降水:7.3 A, 8.6 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:17 mΩ，21 mΩ
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-25 V、-20 V、+20 V、+25 V
- 封装类型:SOIC
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:隔离
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:1.6 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:671-0719
| 第号命令。 | 63-4936-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDS8858CZ | |
| 标准价格 |
JPY: 1,460
USD: 9.08
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(5pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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