63-4682-13 IXFN200N10PN沟道MOSFET, 200 A, 100 V极性HiPerFET,4-引脚SOT-227BIXYS IXFN200N10P
功能
- N沟道功率MOSFET, IXYS HiperFETTM极光系列。带有IXYS快速内嵌二极管 (HiPerFETTM) 的N通道功率MOSFET
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:200 A
- 最大漏源电压:100 V
- 最大泄漏源电阻:7.5 mΩ
- 最大门限电压:5V
- 最小门限电压:3V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-227B
- 安装类型:表面安装
- 销数:4
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:680 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:125-8040
| 第号命令。 | 63-4682-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IXFN200N10P | |
| 标准价格 |
JPY: 6,120
USD: 38.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1piece | |
| 日本股票 |
|
|
| 供应商存货 |
|
|