Nexperia

Nexpersia, 15V Zener Diode ± 2 %, ± 5 % 500 mW ผ่านทาง Hole 2-Pin SOD27 (DO-35)　BZX79-C15,133

ซีเนอร์ไดโอด 500mW, BZX79 Series, Nexpersia

Nexperia

Nexpersia, 18V ± Diode 2 %, ± 5 % 500 mW ผ่านทาง Hole 2-Pin SOD27 (DO-35)　BZX79-C18,133

ซีเนอร์ไดโอด 500mW, BZX79 Series, Nexpersia

Nexperia

PMV20XNEAR 3 N-Channel MOSFET, 6.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Nexpersia　PMV20XNEAR

Nexperia

Nexpersia 50V 200mA, Schottky Diode, 2 พิน DO-34　BAT86,113

Schottky Barier Diodes, 200mA ถึง 500mA แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexpersia 30V 200mA, Dual Shottky Diode, 3-Pin SOT-23 BAT54A,215　BAT54A,215

Schottky Barier Diodes, 200mA ถึง 500mA แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexperia BF822,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 50 mA, 250 V, 3-Pin SOT-23　BF822,215

ทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าสูง, Nexpersia

Nexperia

Nexperia BC817-25W,115 ทรานซิสเตอร์ NPN, 500 mA, 45 V, 3 พิน　BC817-25W,115

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BC847BW,115 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 45 V, UMT 3 พิน　BC847BW,115

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexpersia 30V 200mA, Dual Shottky Diode, 3-Pin SOT-323 BAT54SW,115　BAT54SW,115

Schottky Barier Diodes, 200mA ถึง 500mA แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexperia 85V 215mA, Silicon Junction Diode, 3-Pin SOT-23 BAS16,215　BAS16,215

Nexperia BAS16 สลับไดโอด ไดโอดสลับความเร็วสูง BAS16 series ของ Nexperia ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานการสลับเพื่อวัตถุประสงค์ทั่วไปซึ่งอาจต้องใช้ความเร็วสูง นอกจากนี้ AEC-Q101 ยังมีคุณสมบัติเหมาะสมสําหรับการใช้งานยานยนต์ด้วย อุปกรณ์ BAS16 ทั้งหมดอยู่ในแพ็คเกจพลาสติกที่ต่อเชื่อมบนพื้นผิว (SMD) พร้อมตัวเลือกแพคเกจที่แตกต่างกัน คุณลักษณะ: กระแสไฟต่ํา ความจุต่ํา ความเร็วสลับสูง ความเร็วในการสลับคืออะไร ≤ 4 ns อะไรคือจุดสูงสุดที่ซ้ํากันของแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ? VRM ≤ 100 V พร้อมใช้งาน (พร้อมด้วยประเภทแพ็คเกจ): BAS16 - SOT23 (TO-236AB) BAS16H - SOD123F BAS16J - SOD323F (SC-90) BAS16L - SOD882 BAS16T - SOT416 (BAS-75) 16V - SOT66 BAS16VY - SOT363 (SC-88) BAS16W - SOT323 (SC-70) BAS316 - SOD323 (SC-76) BAS516 - SOD523 (SC-76) 79)

Nexperia

Nexpersia 30V 200mA, Shottky Diode, 3 พิน SOT-23 BAT54,215　BAT54,215

Schottky Barier Diodes, 200mA ถึง 500mA แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexperia BC807-25,215 PNP Transistor, 500 mA, 45 V, 3 พิน SOT-23　BC807-25,215

ทรานซิสเตอร์ PNP สัญญาณขนาดเล็ก, Nexpersistors

Nexperia

Nexperia BC817-25,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 500 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23　BC817-25,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BC817-40,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 500 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23　BC817-40,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BC846B,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 65 V, 3-Pin SOT-23　BC846B,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexpersia BC846BW,115 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 65 V, UMT 3 พิน　BC846BW,115

ทรานซิสเตอร์สองขั้วที่เลิกผลิตแล้ว NXP

Nexperia

Nexperia BC847B,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23　BC847B,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BFS20,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 25 mA, 20 V, 20 3-Pin SOT-23　BFS20,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexpersia 250V 225mA, Dual Silicon Junction Diode, 3-Pin SOT-23 BAV23S,215　BAV23S,215

สัญญาณขนาดเล็กสลับไดโอด, Nexpersia คุณลักษณะ สนับสนุนการออกแบบวงจรไฟฟ้าความหนาแน่นสูงที่ปรับแต่งเองและประเภทแรงดันไฟฟ้าสูง ซึ่งมีความเร็วในการสลับระดับความจุต่ํา

Nexperia

Nexperia BC817,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 500 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23　BC817,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BC846,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 65 V, 3-Pin SOT-23　BC846,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexperia BCX51-16,115 PNP Transistor, 1 A, 45 V, 4-Pin UPAK　BCX51-16,115

ทรานซิสเตอร์ PNP แบบจุดประสงค์ทั่วไป, Nexpersia

Nexperia

Nexpersia, 15V Zener Diode ± 5% 1.3 W ผ่านทาง Hole 2-Pin DO-41　BZV85-C15,113

Zener Diodes 1.3W, BZ85 Series, Nexpersia

Nexperia

Nexpersia, 12V Zener Diode 2% 250 mW SMT 3-Pin SOT-23　BZX84-B12,215

ซีเนอร์ ไดโอด 250mW, BZX84 Series

Nexperia

Nexpersia, 5.6V Zener Diode 2% 250 mW SMT 3-Pin SOT-23　BZX84-B5V6,215

ซีเนอร์ ไดโอด 250mW, BZX84 Series

Nexperia

Nexpersia, 20V Zener Diode 5% 250 mW SMT 3-Pin SOT-23　BZX84-C20,215

ซีเนอร์ ไดโอด 250mW, BZX84 Series

Nexperia

Nexperia, PDTC114ET,215 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 10 Ω k, อัตราส่วน 1, 3 พิน SOT-23　PDTC114ET,215

ทรานซิสเตอร์ Dual Resister Digital NPN, Nexpersion

Nexperia

Nexperia, PDTC143ZT,215 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 4.7 kΩ, อัตราส่วน 0.1, 3-Pin SOT-23　PDTC143ZT,215

ทรานซิสเตอร์ Dual Resister Digital NPN, Nexpersion

Nexperia

Nexpersia, 5V Zener Diode 4% 250 mW SMT 3-Pin SOT-23　PLVA650A,215

ซีเนอร์ไดโอด 250mW PLVA6xxA ซีรีส์ Nexperia เสียงต่ํา

Nexperia

Nexpersia 100V 215mA, Dual Silicon Junction Diode, 3-Pin SOT-23 PMBD7000,215　PMBD7000,215

สัญญาณขนาดเล็กสลับไดโอด, Nexpersia คุณลักษณะ สนับสนุนการออกแบบวงจรไฟฟ้าความหนาแน่นสูงที่ปรับแต่งเองและประเภทแรงดันไฟฟ้าสูง ซึ่งมีความเร็วในการสลับระดับความจุต่ํา

Nexperia

Nexperia PMBT2369,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 200MA, 15 V, 3 พิน SOT-23　PMBT2369,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

Nexpersia 100V 200mA, ไดโอดเชื่อมต่อซิลิคอน, MiniMelf PML448,115 2 พิน　PMLL4448,115

สัญญาณขนาดเล็กสลับไดโอด, Nexpersia คุณลักษณะ สนับสนุนการออกแบบวงจรไฟฟ้าความหนาแน่นสูงที่ปรับแต่งเองและประเภทแรงดันไฟฟ้าสูง ซึ่งมีความเร็วในการสลับระดับความจุต่ํา

Nexperia

Nexperia, PUMH11,115, Dual NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 10 Ω k, อัตราส่วน 1, 6 พิน　PUMH11,115

ทรานซิสเตอร์ Dual Digital Distributor, Nexpersistor

Nexperia

Nexperia 40V 120mA, Schottky Diode, SOT-23 Pin SOT-23 BAS40-04,215　BAS40-04,215

Schottky Barrier Diodes, สูงถึง 120mA, Nexpersia แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexperia 40V 120mA, Dual Shottky Diode, 3 Pin SOT-23 BAS40-05,215　BAS40-05,215

Schottky Barrier Diodes, สูงถึง 120mA, Nexpersia แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด

Nexperia

Nexperia BC807-40,215 PNP Transistor, 500 mA, 45 V, 3 พิน SOT-23　BC807-40,215

ทรานซิสเตอร์ PNP สัญญาณขนาดเล็ก, Nexpersistors

Nexperia

Nexperia BC847C,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23　BC847C,215

ทรานซิสเตอร์ NPN ขนาดเล็ก

Nexperia

BSH103,215 N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexpersia　BSH103,215

N-Channel MOSFET สูงสุดถึง 30V

Nexperia

Nexperia PBSS4140T,215 ทรานซิสเตอร์ NPN, 1 A, 40 V, 3-Pin SOT-23　PBSS4140T,215

ทรานซิสเตอร์ Voltage NPN แบบ Sation ต่ํา NXP BISS (การค้นพบด้วยสัญญาณขนาดเล็ก) ทรานซิสเตอร์สเชื่อมต่อสองขั้วแรงดันไฟฟ้าต่ํา อุปกรณ์เหล่านี้มีแรงดันไฟฟ้าต่ํามากที่ตัวส่งตัวสะสม และความจุกระแสไฟของตัวสะสมในแพกเกจที่กะทัดรัด ความสูญเสียของทรานซิสเตอร์เหล่านี้ลดลงทําให้เกิดความร้อนน้อยลงและประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นโดยรวมเมื่อใช้ในการสลับและใช้งานแอพพลิเคชั่นดิจิทัล

Nexperia

Nexperia PBSS5350X,115 PNP Transistor, 3 A, 50 V, 4 พิน UPAK　PBSS5350X,115

อุปกรณ์รับส่ง PNP แรงดันไฟฟ้าความอิ่มตัวต่ํา NXP BISS (การค้นพบด้วยสัญญาณขนาดเล็ก) ทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าต่ํา PNP สองขั้ว อุปกรณ์เหล่านี้มีแรงดันไฟฟ้าต่ํามากที่ตัวส่งตัวสะสม และความจุกระแสไฟของตัวสะสมในแพกเกจที่กะทัดรัด ความสูญเสียของทรานซิสเตอร์เหล่านี้ลดลงทําให้เกิดความร้อนน้อยลงและประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นโดยรวมเมื่อใช้ในการสลับและใช้งานแอพพลิเคชั่นดิจิทัล