ON Semiconductor

บน Semiconductor ESD Protection Diode 3.1 มม., 5.25 V, 225 mW　NUF2101MT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

บน Semiconductor ESD Protection Diode 3.1 มม., 5.25 V, 225 mW　NUF2101MT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

บนตัวกรอง EMI ของตัวนํา, สูงสุด 5 V　NUF4211MNT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

บนตัวกรอง EMI ของตัวนําสัญญาณ, สูงสุด 1.5 V, 14 W　NZF220DFT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

บนตัวกรอง EMI ของตัวนําสัญญาณ, สูงสุด 1.5 V, 14 W　NZF220DFT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ตัวนําสัญญาณ, 100 nA, 5 V สําหรับใช้กับ LCD และสายข้อมูลกล้อง　NUF2450MUT2G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ตัวนําสัญญาณ, 100 nA, 5 V สําหรับใช้กับ LCD และสายข้อมูลกล้อง　NUF2450MUT2G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI แบบตัวนํา, 100 nA, 5 V, 328 mW　NUF8401MNT4G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI แบบตัวนํา, 100 nA, 5 V, 328 mW　NUF8401MNT4G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314R2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314TR2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314TR2V

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 10.3 มม., ลักษณะการเมานท์ของพื้นผิว　FOD8334R2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314R2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314TR2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 6.81 มม., ลักษณะการเมาต์พื้นผิว　FOD8314TR2V

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］ใน Semiconductor Optocopler, Max. ไปข้างหน้า 1.8 V แม็กซ์ อินพุต 16 mA, ความยาว 10.3 มม., ลักษณะการเมานท์ของพื้นผิว　FOD8334R2

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ของตัวนํา, สูงสุด 5 V　NUF4403MNT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ของตัวนํา, สูงสุด 5 V　NUF4403MNT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ของตัวนํา, สูงสุด 5 V　NUF8402MNT4G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรอง EMI ของตัวนํา, สูงสุด 5 V　NUF8402MNT4G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรองตัวกึ่งตัวนํา NZF220TT1G EMI, ตัวกรอง 1.25 V, 14 W สูงสุด　NZF220TT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บนตัวกรองตัวกึ่งตัวนํา NZF220TT1G EMI, ตัวกรอง 1.25 V, 14 W สูงสุด　NZF220TT1G

ตัวกรอง EMI ที่มีการป้องกัน ESD บนตัวนํา

ON Semiconductor

［เลิกผลิตแล้ว］บน Semiconductor Inverter Drive, 12 V, 10 mA　MC14007UBDG

4000 Series Inverters ; บัฟเฟอร์ในสารกึ่งตัวนํา