ข้อมูลจําเพาะ

• 20% สําหรับตอนนี้! สรุป
• ทรานซิสเตอร์เป็นรากฐานของการสร้างแบบจําลองอุปกรณ์
• มันเริ่มต้นด้วยคําอธิบายของรุ่น Evers-Moll, รุ่น Gummel-Poon และวงจรที่เทียบเท่า PSpice ตามด้วยกระบวนการสร้างแบบจําลองอุปกรณ์และระเบียบวิธีของการจําลองการวิเคราะห์การประเมิน
• นอกจากนี้ยังครอบคลุมไปถึงหัวข้อต่างๆ ด้วยการสร้างแบบจําลองอุปกรณ์ระบายความร้อน, ทรานซิสเตอร์ Power BJT และ Darlington
• โปรดใช้มันเพื่อเข้าใจทรานซิสเตอร์　
• สารบัญ
• 1.　เกี่ยวกับการสร้างโมเดลอุปกรณ์
• 2　แบบจําลองอุปกรณ์
• 2.1 บทนํา
• 2.2 ความแตกต่างระหว่างรุ่น Gummel-Poon และรุ่น Evers-Moll
• 2.3 วิธีการดึง VAR
• 2.4 วิธีการแยก BR, IKF, ISC และ NC
• 2.5 คือ วิธีการคัดแยก RB
• 2.6 วิธีการสกัด VAF
• 2.7 วิธีการขยาย BF, IKF, ISE, NE, และ NK
• 2.8 วิธีการแยก RC
• 2.9 วิธีการสกัด CJC, VJC และ MJC
• 2.10 วิธีการสกัด CJE, VJE และ MJE
• 2.11 วิธีการดึง TF
• 2.12 วิธีการแยก TR
• 2.13 เกี่ยวกับการทดสอบอุปกรณ์ระบายความร้อน
• 2.14 About Power Transistor Model
• 2.15 เกี่ยวกับรุ่นทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน
• Modeling Lab ของอุปกรณ์
• วิธีการประเมินแบบจําลองอุปกรณ์
• ลักษณะ 4.1 Ic-hFE
• คุณลักษณะแรงดันไฟฟ้า 4.2 Vce (sat)
• ลักษณะแรงดันไฟฟ้า 4.3 Vbe (sat)
• คุณลักษณะผลลัพธ์ 4.4
• Device Model Evaluation Circuit Lab (PSpice)
• การจําลองวงจรควบคุมแบบเส้นตรงสูญเสียต่ํา ()
• 6.1 เกี่ยวกับตัวควบคุมการขาดทุนต่ํา
• 6.2 แนวคิดของการจําลองการวิเคราะห์วงจร
• โมเดลอุปกรณ์แบบฝังตัว 6.3 ตัวทําการจําลองการวิเคราะห์วงจร
•