ข้อมูลจําเพาะ

• 20% สําหรับตอนนี้! สรุป
• ในรูปแบบพารามิเตอร์ของไดโอด คุณสมบัติการกู้คืนแบบย้อนกลับจะแสดงโดยพารามิเตอร์ TT หนึ่ง และคุณสมบัติการกู้คืนแบบย้อนกลับจะไม่แสดงความจริง
• เพื่อที่จะผลิตคุณลักษณะการกู้คืนกลับด้านอย่างแท้จริง จะต้องนํารูปแบบวงจรที่เทียบเท่ามาใช้
• การ ใช้ แบบจําลอง นี้ อยู่ บน วงจร ซึ่ง เป็น การ สลับ เวลา โดยเฉพาะ ใน วงจร ไฟฟ้า อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอด ของ ร่างกาย ใน POWSFETs, FWD ใน IGBT
• โปรด ใช้ มัน เพื่อ นํา ไป ใช้ ใน การ สร้าง วงจร ที่ เท่า กัน และ เข้าใจ แบบจําลอง วงจร ที่ เท่า กัน
• นอกจากนี้ ยังมีผลการวิจัยล่าสุดเกี่ยวกับรุ่นของอัตราการลดลง (ไม่ได้) ในปัจจุบันและรุ่นของอุปกรณ์ระบายความร้อนอีกด้วย　
• สารบัญ
• 1.　การสร้างโมเดลอุปกรณ์คืออะไร
• 2　แบบจําลองอุปกรณ์
• 2.1 ความแตกต่างระหว่างพารามิเตอร์และรูปแบบลักษณะการทํางานของไดโอด
• 2.2 วิธีการคิดเกี่ยวกับพฤติกรรมโมเดล (5 วิธี: Be-technology ที่ได้รับการปรับปรุง)
• 2.3 วิธีการแยกพารามิเตอร์ของคุณลักษณะที่ส่งต่อ
• 2.4 วิธีการแยกพารามิเตอร์ของคุณสมบัติแบบ Capacitive
• 2.5 วิธีการแยกคุณลักษณะการกู้คืนกลับด้าน
• 3.　วิธีการประเมินรุ่นอุปกรณ์
• 3.1 การจําลองการวิเคราะห์การประเมินคุณลักษณะไปข้างหน้า
• 3.2 การจําลองการวิเคราะห์คุณลักษณะกําลังการผลิต
• 3.3 การจําลองการวิเคราะห์คุณลักษณะการกู้คืนย้อนกลับ
• 4　การสร้างโมเดลอุปกรณ์ระบายความร้อน
• 5　การออกแบบแบบจําลองอุปกรณ์สําหรับแบบจําลองไดโอด
• การสร้างโมเดลอุปกรณ์ 5.1
• 5.2 การจําลองวงจร
• 6　การจําลองการวิเคราะห์เสียงรบกวนในวงจร FCC
• วิธีการ 6.1 FCC Circuit
• 6.2 แนวคิดของการจําลองการวิเคราะห์วงจร
• 6.3 การรวมรุ่นอุปกรณ์และการจําลองการวิเคราะห์วงจร
• 7　บทนําแบบจําลองการแพ้ของคลื่นวิทยุ
• 8　ถาม
•