64-2794-77 ［เลิกผลิตแล้ว］SiRA12BDP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V TrenchFET, SO-8 Pin SO-Liconix SiRA12BDP-T1-GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:60 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการลด: 6 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SO-8
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:38 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:178-3914
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2794-77 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SiRA12BDP-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,020
USD: 12.66
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |