64-2794-61 ［เลิกผลิตแล้ว］SiSH402DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 วิเชย์ ซิลิโคนิกซ์ SiSH402DN-T1-GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:35 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:8 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.15V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.2V
- ±: 20 V
- ชนิดแพคเกจ:1212
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:52 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1700 pF @ 15 V
- รหัส:178-3879
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2794-61 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SiSH402DN-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,420
USD: 15.18
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |