64-2794-58 SQJ431AEP-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V TrenchFET, SO-8 Pin SO-Shay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.4 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:760 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- ±: 20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SO-8
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:68 W
- วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่
- รหัส:178-3873
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2794-58 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SQJ431AEP-T1_GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,240
USD: 20.31
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|