64-2794-12 [เลิกผลิตแล้ว]SiA00DJ-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V TrenchFET, 6-Pin SC-70 วิเชย์ ซิลิโคนิกซ์ SiAA00DJ-T1-GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:40 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:25 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:7 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +16 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SC-70
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:19.2 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:178-3669
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2794-12 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SiAA00DJ-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 122,430
USD: 767.97
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]SiA00DJ-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V TrenchFET, 6-Pin SC-70 วิเชย์ ซิลิโคนิกซ์ SiAA00DJ-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2794/12/64279412.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)