64-2778-92 ［เลิกผลิตแล้ว］RQ3E100GNTB N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V RQ3E100GN, HSMT ROM 8 พิน RQ3E100GNTB
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:21 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:11.7 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- ±: 20 V
- ชนิดแพคเกจ:HSMT
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:15 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:22.4 ns
- รหัส:177-6284
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2778-92 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | RQ3E100GNTB | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 750
USD: 4.71
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |