64-2554-29 ［เลิกผลิตแล้ว］SI1902CDL-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1902CDL-T1-GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.1 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:306 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.6V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดของ Gate:12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:0.42 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:152-6354
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2554-29 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI1902CDL-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,990
USD: 12.47
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |