64-2191-79 [เลิกผลิตแล้ว]SCT3060ALGC11 SiC N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3 พิน to-247N ROM SCT3060ALGC11
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:39 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:79.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 5.6V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.7V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดของ Gate:22 V
- ประเภทแพ็คเกจ:TO-247N
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:134 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:150-1454
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2191-79 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SCT3060ALGC11 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,040
USD: 12.69
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]SCT3060ALGC11 SiC N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3 พิน to-247N ROM SCT3060ALGC11](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2191/79/64219179.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)