64-2191-56 [เลิกผลิตแล้ว]RQ6E030ATTCR Dual P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, TSMT ROM 6 พิน RQ6E030ATTCR
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 3 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:135 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- ±: 12 V
- ชนิดแพคเกจ:TSMT
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.25 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:148-6932
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2191-56 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | RQ6E030ATTCR | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 50,200
USD: 312.34
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]RQ6E030ATTCR Dual P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, TSMT ROM 6 พิน RQ6E030ATTCR](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2191/56/64219156.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)