ON Semiconductor

64-2168-91 [เลิกผลิตแล้ว]FDMS86180 Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V PowerTrench, 8 พิน PQFN บนเซมิคอนดักเตอร์ FDMS86180

คุณลักษณะ

  • N-Channel Power MOSFET, 100V ถึง 1700V, บนตัวนํา

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:151 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:3.2 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • ±: 20 V
  • ชนิดแพคเกจ:PQFN
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 8
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ตัวแปลงประเภท:DC/DC
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:138 W
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:146-4098
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-2168-91
หมายเลขแบบจําลอง FDMS86180
ราคามาตรฐาน JPY: 2,910 USD: 18.11
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -