64-2008-69 [เลิกผลิตแล้ว]FDC638APZ P-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บน Semiconductor FDC638APZ
คุณลักษณะ
- PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 4.5 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:72 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W
- เวลาหน่วงในการเปิดระบบโดยทั่วไป:6 ns
- หมายเลขรหัส:809-0859
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2008-69 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDC638APZ | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 850
USD: 5.29
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FDC638APZ P-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บน Semiconductor FDC638APZ](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2008/69/64200712.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)