ON Semiconductor

64-2008-29 FDC604P-Channel MOSFET, 5.5 A, 20 V PowerTrench, 6 พิน SOT-23 บน Semiconductor FDC604P

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 5.5 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด: 60 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ประเภทแพคเกจ:SOT-23
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน: 6
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W
  • อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
  • รหัส:761-3524
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-2008-29
หมายเลขแบบจําลอง FDC604P
ราคามาตรฐาน JPY: 1,140 USD: 7.09
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์