ON Semiconductor

64-2007-71 NDC7003P Dual P-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บน Semiconductor NDC7003P

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:340 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
  • Ω:10
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพคเกจ:SOT-23
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน: 6
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:960 mW
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:166-2806
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-2007-71
หมายเลขแบบจําลอง NDC7003P
ราคามาตรฐาน JPY: 61,100 USD: 380.16
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์