64-2007-62 [เลิกผลิตแล้ว]FDC3535 P-Channel MOSFET, 2.1 A, 80 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บนเซมิคอนดักเตอร์ FDC3535
คุณลักษณะ
- PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:2.1 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:80 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:310 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:166-2233
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2007-62 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDC3535 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 115,920
USD: 721.25
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FDC3535 P-Channel MOSFET, 2.1 A, 80 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บนเซมิคอนดักเตอร์ FDC3535](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2007/62/64200712.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)