64-2004-92 [เลิกผลิตแล้ว]FQT13N06LTF ช่อง MOSFET, 2.8 A, 60 V QFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 บนสารกึ่งตัวนํา FQT13N06LTF
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, สูงถึง 5.9A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 2.8 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:110 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-223
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.1 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:8 ns
- รหัส:671-1059
| หมายเลขใบสั่ง | 64-2004-92 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQT13N06LTF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 400
USD: 2.49
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQT13N06LTF ช่อง MOSFET, 2.8 A, 60 V QFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 บนสารกึ่งตัวนํา FQT13N06LTF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2004/92/64200349.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)