ON Semiconductor

64-2004-25 [เลิกผลิตแล้ว]FQT13N06TF ช่อง MOSFET, 2.8 A, 60 V QFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 บนตัวนํา FQT13N06TF

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, สูงถึง 5.9A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 2.8 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
  • แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:140 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-223
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3 + แท็บ
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:2.1 W
  • ขนาด:6.5 x 3.56 x 1.6 มม.
  • รหัส:166-2706
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-2004-25
หมายเลขแบบจําลอง FQT13N06TF
ราคามาตรฐาน JPY: 124,000 USD: 771.53
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(4000pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -