ON Semiconductor

64-1986-63 บน Semi 60V 1A, Shottky Diode, 2 พิน DO-214AC SS16T3G SS16T3G

คุณลักษณะ

  • ผลิตภัณฑ์ที่มี NSV-, SBR- หรือ S-prefixed Manufacturer Nos เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติทางรถยนต์ AEC-Q101 ใน Semiconductor Schottky Barrier Diodes บน Semiconductor Schottky power rectifier นี้ใช้หลักการ Schottky proced ที่ใช้โลหะกั้นเพื่อสร้างการแลกเปลี่ยนกระแสไฟฟ้าที่ดีที่สุด เหมาะสําหรับแรงดันไฟฟ้าต่ํา การปรับความถี่สูง รวมทั้งไดโอดป้องกันไฟฟ้าและความเป็นปึกแผ่นในการใช้งาน Surface Mount ในทุกที่ที่มีขนาดกะทัดรัดและน้ําหนักมากขึ้นคือกุญแจสําคัญ Pb-Free ได้รับการออกแบบมาเพื่อการปรับแต่งส่วนประกอบบอร์ดอัตโนมัติเพื่อช่วยป้องกันความเข้มงวดของ Epoxy Molded Case Lightweight 11.7mg แพกเกจ

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(5000 ชิ้น)
  • การกําหนดค่าไดโอด: Single
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:60V
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • ประเภทแพ็คเกจ:DO-214AC (SMA)
  • เทคโนโลยีไดโอด:Schottky
  • จํานวนพิน: 2
  • การลดแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับอนาคต:720mV
  • กระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าไม่ตรงสุดยอด:40A
  • รหัส:163-1185
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1986-63
หมายเลขแบบจําลอง SS16T3G
ราคามาตรฐาน JPY: 99,500 USD: 619.09
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(5000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์