64-1921-75 IXFK26N120P N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V HiperFET, Polar, 3-Pin to-264 IXYS IXFK26N120P
คุณลักษณะ
- N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFETTM PolarTM Series N-Channel Power MOSFET พร้อมด้วย Fast Intrinsic Diode (HiPerFETTM) จาก IXYS
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:26 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:1200 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:460 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 6.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพคเกจ:TO-264
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:960 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:56 ns
- รหัส:920-0877
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1921-75 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IXFK26N120P | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 159,000
USD: 997.37
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(25pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|