64-1917-80 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFP044NPBF N-Channel MOSFET, 53 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-247AC Infineon IRFP044NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:53 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:20 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:TO-247AC
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:120 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:919-4909
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1917-80 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFP044NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,420
USD: 27.71
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |