64-1917-69 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF1010NPBF N-Channel MOSFET, 85 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRF1010NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:85 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:11 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:180 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:919-4854
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1917-69 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF1010NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 8,000
USD: 50.15
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |