64-1917-67 [เลิกผลิตแล้ว]IRFZ46NPBF N-Channel MOSFET, 53 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFZ46NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:53 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:17 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:107 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:919-4848
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1917-67 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFZ46NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,520
USD: 28.33
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFZ46NPBF N-Channel MOSFET, 53 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFZ46NPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1917/67/64191767.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)