64-1916-57 SI4948BEY-T1-GE3 Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4948BEY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:3.1 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:150 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.4 W
- ประจุประตูแบบปกติ @ Vgs:14.5 nC @ 10 V
- รหัส:919-4198
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1916-57 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4948BEY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 352,000
USD: 2,206.48
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|