64-1916-31 Vishay 45V 40A, Schottky Diode, 3-Pin D2PAK VBT4045BP-E3/8W VBT4045BP-E3/8W
คุณลักษณะ
- ทีเอ็มบีเอส - เทรนช์ มอส บาร์ริเออร์ สคอตกี้ เรคทิฟเตอร์ 30A ถึง 80A, ไวเชย์ เซมิคอนดักเตอร์ ชุดตัวระบุ Retchy MOS Barrier Schottky (TMBS) ของ Tranchy ประกอบด้วยโครงสร้างของร่องลึกที่จดสิทธิบัตร ตัวจําแนก TMBS มีข้อได้เปรียบหลายอย่าง เหนือเครื่องกรองแบบสตอตกี้ ด้วยแรงดันไฟฟ้าในการทํางานที่ 45V และสูงกว่าเครื่องตรวจจับ Schottky สามารถสูญเสียความได้เปรียบของการสลับความเร็วอย่างรวดเร็ว และปริมาณการส่งข้อมูลที่ลดลงถึงระดับหนึ่ง โครงสร้าง TMBS ที่ได้รับสิทธิบัตรได้แก้ไขปัญหาเหล่านี้โดยการลดการฉีดเข้าไปยังพื้นที่ส่วนน้อยลง ดังนั้นจึงลดค่าใช้จ่ายที่เก็บไว้และปรับปรุงความเร็วในการสลับ โครงสร้างเทรนช์ที่ยึดถือได้ ปรับปรุงประสิทธิภาพในโหมด AC/DC สวิตช์ พาวเวอร์ซัพพลายและตัวแปลง DC/DC ความหนาแน่นสูงและแรงดันไฟฟ้าต่ํา คุณลักษณะ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(800 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด: Single
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:45V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- เทคโนโลยีไดโอด:Schottky
- จํานวนหมุด: 3
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับอนาคต:630mV
- รหัส:919-0957
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1916-31 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | VBT4045BP-E3/8W | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 166,000
USD: 1,040.56
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(800pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|
