64-1915-52 SI2328DS-T1-E3 N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2328DS-T1-E3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 100V ถึง 150V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.15 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:250 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-23 (TO-236)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:730 mW
- วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่
- รหัส:919-0278
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1915-52 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI2328DS-T1-E3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 241,000
USD: 1,510.69
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|