64-1915-44 ［เลิกผลิตแล้ว］SI2301CDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 วิเชย์ SI2301CDS-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, 8V ถึง 20V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 2.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:112 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:860 mW
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป:11 ns
- รหัส:919-0250
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1915-44 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI2301CDS-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 101,000
USD: 633.55
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |