64-1905-23 ［เลิกผลิตแล้ว］NDS356AP P-Channel MOSFET, 1.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 บน Semiconductor NDS356AP
คุณลักษณะ
- โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์: ด้วยแรงดันไฟฟ้าควบคุม P-Channel สัญญาณขนาดเล็ก สวิตช์ High-Density cell design High-Station Superior switching Technology ประสิทธิภาพ DMOS ที่ทนทานและเชื่อถือได้ โปรแกรมประยุกต์: การสลับการโหลด DC/DC การป้องกันแบตเตอรี่ตัวแปลง Power Management ควบคุมมอเตอร์ DC
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.1 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:400 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:500 mW
- ความกว้าง:1.4 มม.
- รหัส:917-5554
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1905-23 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NDS356AP | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,120
USD: 13.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |