ON Semiconductor

64-1904-89 FDS4559 Dual N/P-Channel MOSFET, 3.5 A, 4.5 A, 60 V PowerTrench, 8 พิน SOIC บน Semiconductor FDS4559

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:N, P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 3.5 A, 4.5 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:55 mΩ, 105 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
  • ความจุสัญญาณอินพุตแบบทั่วไป @ Vds:650 pF @ 25 V, 759 pF @ 25 V
  • รหัส:917-5471
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1904-89
หมายเลขแบบจําลอง FDS4559
ราคามาตรฐาน JPY: 1,670 USD: 10.47
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์