ON Semiconductor

64-1904-86 FDMS3572 N-Channel MOSFET, 48 A, 80 V UltraFET, 8-Pin Power 56 บนเซมิคอนดักเตอร์ FDMS3572

คุณลักษณะ

  • UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor UItraFET® Tranch MOSFET รวมคุณลักษณะที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในโปรแกรมประยุกต์การแปลงพลังงาน อุปกรณ์นี้มีความสามารถในการคงไว้ซึ่งพลังงานสูงในโหมดหิมะ และไดโอดแสดงให้เห็นว่า เวลาในการกู้คืนและเก็บประจุไฟฟ้าในระดับต่ํามาก พร้อมประสิทธิภาพในการทํางานด้วยความถี่สูง, RDS(on) ต่ําสุด, ESR ต่ํา และประจุไฟฟ้าในเกตมิลเลอร์ แอพพลิเคชั่นใน High frequency DC เป็นตัวแปลง DC, การเปลี่ยนตัวควบคุม, ไดร์เวอร์มอเตอร์, สวิตช์ไฟฟ้าต่ําและการจัดการพลังงาน

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:48 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:80 V
  • แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:29 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:Power 56
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 8
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:78 W
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:166-3289
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1904-86
หมายเลขแบบจําลอง FDMS3572
ราคามาตรฐาน JPY: 881,000 USD: 5,522.47
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์