IXYS

64-1898-31 IXTP4N65X2 N-Channel MOSFET, 4 A, 650 V X2-Class, 3-Pin TO-220 IXYS IXTP4N65X2

คุณลักษณะ

  • N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series เซรีส์ IXYS X2 class Power MOSFET มีการลดความต้านทานและประจุเกตลงอย่างมากเมื่อเปรียบเทียบกับพลังงาน MOSFET ในรุ่นก่อนหน้านี้ ซึ่งส่งผลให้สูญเสียน้อยลงและมีประสิทธิภาพในการดําเนินงานสูงขึ้น อุปกรณ์ที่ทนทานเหล่านี้มีไดโอดแบบภายในและเหมาะสําหรับทั้งการสลับฮาร์ดดิสก์และแอปพลิเคชันในโหมดสะท้อนแสง Power MOSFET ในคลาส X2 มีให้ในแพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมที่หลากหลาย รวมถึงประเภทที่แยกตัวออกมา โดยมีการจัดอันดับสูงถึง 120A ที่ 650V แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยตัวแปลง DC-DC, AC และไดรฟ์มอเตอร์ DC, โหมดสวิตช์และพาวเวอร์ซัพพลายแบบรีซอแนนต์, ช่องทางไฟฟ้า DC, ตัวแปลงแสงอาทิตย์, อุณหภูมิและการควบคุมแสง RDS(on) และ QG (gate charge) ตัวระบุภาพภายใน diode Intrinsic gate Redinsic gate ต่ํา การต้านทานอุปกรณ์บรรจุภัณฑ์ แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมการประกอบแพ็คเกจต่ํา

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 4 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:850 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ:TO-220
  • ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:80 W
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:146-1778
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1898-31
หมายเลขแบบจําลอง IXTP4N65X2
ราคามาตรฐาน JPY: 21,200 USD: 132.89
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(50pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์