คุณลักษณะ

• N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series เซรีส์ IXYS X2 class Power MOSFET มีการลดความต้านทานและประจุเกตลงอย่างมากเมื่อเปรียบเทียบกับพลังงาน MOSFET ในรุ่นก่อนหน้านี้ ซึ่งส่งผลให้สูญเสียน้อยลงและมีประสิทธิภาพในการดําเนินงานสูงขึ้น อุปกรณ์ที่ทนทานเหล่านี้มีไดโอดแบบภายในและเหมาะสําหรับทั้งการสลับฮาร์ดดิสก์และแอปพลิเคชันในโหมดสะท้อนแสง Power MOSFET ในคลาส X2 มีให้ในแพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมที่หลากหลาย รวมถึงประเภทที่แยกตัวออกมา โดยมีการจัดอันดับสูงถึง 120A ที่ 650V แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยตัวแปลง DC-DC, AC และไดรฟ์มอเตอร์ DC, โหมดสวิตช์และพาวเวอร์ซัพพลายแบบรีซอแนนต์, ช่องทางไฟฟ้า DC, ตัวแปลงแสงอาทิตย์, อุณหภูมิและการควบคุมแสง RDS(on) และ QG (gate charge) ตัวระบุภาพภายใน diode Intrinsic gate Redinsic gate ต่ํา การต้านทานอุปกรณ์บรรจุภัณฑ์ แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมการประกอบแพ็คเกจต่ํา