64-1889-64 IRLR2905ZTRPBF N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZTRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:60 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:13.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:168-8971
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1889-64 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLR2905ZTRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 183,000
USD: 1,138.63
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|