คุณลักษณะ

N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด

ข้อมูลจําเพาะ

ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)

ชนิดช่อง:N

รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:36 A

แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V

แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:63 Ω

แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V

แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V

แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V

ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)

ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว

จํานวนหมุด: 3

โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ

ประเภท:พลังงาน

การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W

จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1

รหัส:915-5086

หมายเลขใบสั่ง

64-1889-61

หมายเลขแบบจําลอง

IRL540NSTRLPBF

ราคามาตรฐาน

JPY: 3,300 USD: 20.69

Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan

ปริมาณ

1bag(10pieces)

在庫数

หุ้นซัพพลายเออร์

Infineon

64-1889-61　IRL540NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon　IRL540NSTRLPBF

印刷

English

特徴

N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด

仕様

ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
ชนิดช่อง:N
รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:36 A
แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:63 Ω
แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
จํานวนหมุด: 3
โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
ประเภท:พลังงาน
การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W
จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
รหัส:915-5086

アズワン品番	64-1889-61
型番	IRL540NSTRLPBF
標準価格	JPY: 3,300 USD: 20.69 Excange rate 1USD= 159.53JPY Valid price in Japan
入り数	1bag(10pieces)
在庫数
サプライヤ在庫