64-1889-54 ［เลิกผลิตแล้ว］IRL3705ZSTRLPBF N-Channel MOSFET, 86 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRL3705ZSTRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:86 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:12 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:130 W
- ประจุประตูแบบปกติ @ Vgs:40nC @ 5 V
- หมายเลขรหัส:165-8219
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1889-54 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRL3705ZSTRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 195,000
USD: 1,213.29
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(800pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |