64-1889-39 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFS4310TRLPBF N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRFS4310TRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:130 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:300 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- หมายเลขรหัส:165-8291
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1889-39 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFS4310TRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 220,000
USD: 1,368.84
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(800pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |