64-1889-19 [เลิกผลิตแล้ว]IRFM8334TRPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFHM8334TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:43 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:13.5 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2.35V
- ค่าแรงขั้นต่ําเกต:1.35V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:PQFN
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:28 W
- เวลาหน่วงในการเปิดระบบโดยทั่วไป:8.3 ns
- หมายเลขรหัส:165-8217
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1889-19 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFHM8334TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 152,000
USD: 952.80
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(4000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFM8334TRPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFHM8334TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1889/19/64188919.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)