64-1888-87 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF630NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF630NSTRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 150V ถึง 600V อินฟินิออน การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(16 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:300 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:82 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:27 ns
- รหัส:915-4945
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1888-87 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF630NSTRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,970
USD: 12.35
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(16pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |