64-1888-78 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF1018ESTRLPBF N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1018ESTRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60V ถึง 80V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:79 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:8.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-8198
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1888-78 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF1018ESTRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 55,300
USD: 344.08
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(800pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |