64-1877-92 [เลิกผลิตแล้ว]IRFR2405PBF N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR2405PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(75 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:56 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:16 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:913-3884
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1877-92 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR2405PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 5,760
USD: 36.11
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(75pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFR2405PBF N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR2405PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1877/92/64187792.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)