64-1877-78 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF3708PBF N-Channel MOSFET, 62 A, 30 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRF3708PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:62 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:12 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.6V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:87 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:913-3819
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1877-78 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF3708PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 8,190
USD: 51.34
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |