64-1872-33 [เลิกผลิตแล้ว]AUIRFR4615 N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon AUIRFR4615
คุณลักษณะ
- MOSFET ของระบบ N-Channel Power, Infinion ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mosfET บนพื้นผิวและแพกเกจที่มีหัวและ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ถึงโครงร่างของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(75 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:33 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:42 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:144 W
- ความกว้าง:6.22 มม.
- รหัส:912-8637
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1872-33 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRFR4615 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 16,400
USD: 102.04
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(75pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]AUIRFR4615 N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon AUIRFR4615](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1872/33/64187233.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)