64-1861-91 ［เลิกผลิตแล้ว］SPB04N60C3ATMA1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V CoolMOS C3, 3 พิน D2PAK Infineon SPB04N60C3ATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTMC3 Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 4.5 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:950 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.9V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:50 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:490 pF @ 25 V
- รหัส:911-4919
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1861-91 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SPB04N60C3ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 113,000
USD: 708.33
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |