64-1861-86 ［เลิกผลิตแล้ว］BSC027N04LSGATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V OptiMOS 3, 8 พิน TDSON Infineon BSC027N04LSGATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFET สูงสุดถึง 40V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(5000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.1 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TDSON
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- ขนาด:6.35 x 5.35 x 1.1มม.
- รหัส:911-4855
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1861-86 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC027N04LSGATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 390,000
USD: 2,444.68
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(5000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |